1. 서 론

잘 정렬된 나노기공구조를 갖는 양극산화알루미늄 (AAO, anodic aluminum oxide) 은 지난 10년간 다양한 기 능을 가진 나노점 (nanodot), 나노막대 (nanorod), 나노선 (nanowire), 나노관 (nanotube) 그리고 나노복합체(nanocomposite) 와 같은 나노구조의 물질 (nanostructured materials) 을 제조하기 위한 나노템플레이트 (nanotemplate) 로서 많 은 연구자들에 의해 사용되어 왔다[1-4]. 양극산화 알루미 늄은 Keller 등이[5] 1953년에 처음으로 보고하였으나, 현 재 사용되고 있는 정렬된 나노기공구조를 갖은 양극산화 알루미늄을 제안한 사람은 일본의 Masuda와 Fukuda이다 [6]. 이들은 옥살산용액에서 두 단계의 연질 양극산화 (MA, mild anodization)와 식각 (etching) 공정을 이용하여 매우 규칙적이고 우수한 AAO 필름을 제조하였으나 이 방 법은 제조시간이 길고 공정이 복잡하다는 단점이 있다. 이 러한 단점을 보완한 방법으로 경질 양극산화법 (HA, hard anodization)[7] 을 적용하거나 알루미늄 기판 위에 나노임프 린트 (nanoimprint)[8], 나노비드 (nanobead)[9], 이온빔 리소 그래피 (ion-beam lithography)[10] 그리고 이온빔 드릴링 (ion-beam drilling)[11] 등을 이용해서 흠집을 만든 후 양극산 화를 통해 AAO를 제조하는 공정들이 도입되었다.

하지만 상기에서 제안된 방법뿐만 아니라 지금까지의 AAO는 그 형상이 직경만 다를 뿐 주로 직선 형태의 튜브 모양이었다. 그런데 최근 AAO의 활용 범위가 넓어지고 이를 통해 얻고자 하는 나노물질의 형상이 다양해지면서 AAO의 형상제어에 관심이 쏠리게 되었다. Lim 등은[12] 연질과 경질 양극산화법을 적용해 기공 입구의 직경이 작 고 중간 내부의 직경이 큰 AAO를 제조하였고, 또한 몇몇 연구자들은 펄스전압을 인가한 펄스 양극산화법을 적용하 여 직경이 주기적으로 변하는 AAO를 제조하였다[13, 14]. 이 외에도 Y형태 가지 형상[15-16], 링 형상[17], 그리고 삼각 혹은 직사각 형상[18] 등을 가진 AAO가 임프린팅, 리소그래피, 그리고 양극산화의 실험조건 변수 등을 통해 제조되었다. 하지만 상기에서 제시된 방법들은 각 공정이 복잡하거나 혹은 고가의 장비가 활용되어야 한다는 단점 이 있다. 그리고 다양한 분야에서도 AAO를 응용하고자 하며, 그 중 리튬이차전지에서 이러한 AAO의 특성을 주 목하고 있다[19]. 리튬이차전지에서 실리콘 (Si), 게르마늄 (Ge) 그리고 주석 (Sn) 분말 등은 탄소 (C) 에 비해 우수 한 고용량의 음극 활물질이지만 리튬과의 반응시 과도한 부피팽창으로 인해 전극 내 균열이 발생하게 되고 이로 인해 전기적 단락 및 수명특성 저하 등 실제 전극으로서 의 응용을 저해하는 주 원인이 된다[20]. 지금까지 음극분 말의 팽창을 억제하기 위해 다양한 지지체 또는 완충제 등을 적용한 많은 노력들이 이루어져 왔으나 아직 상업적 으로 적용할만한 성과를 얻지 못하고 있다.

따라서 본 연구는 연질 및 경질 양극산화를 조합하여 단 순한 공정을 통해 여러 형상을 갖는 AAO를 얻을 수 있는 방법을 제시하고자 한다. 또한 AAO 기공 내에 실리콘 분 말을 포함한 전극 물질을 삽입하여 전극을 구성함으로써 전기화학 반응시 리튬과의 반응으로 실리콘 분말의 과도 한 팽창을 AAO의 벽이 억제하게 함으로써 전기화학적 특 성을 개선하는 효과를 얻고자 하였고, 동시에 음극물질의 부피팽창을 AAO가 효과적으로 억제할 수 있는 지지체로 서의 가능성을 평가하고자 하였다.

2. 실험방법

본 연구의 목적은 가장 일반적인 일련의 양극산화 공정 에서 연질과 경질 양극산화를 적절히 조합하여 그 결과물 인 AAO의 형상을 제어하는 것이다. 여기서 연질과 경질 양극산화는 전압의 높낮이로 구분하지만 기준이 되는 절 대적인 전압값은 없다. 따라서 본 연구에서는 양극산화 전 압이 낮은 조건을 연질 그리고 높은 조건을 경질이라 칭 하였다. 그림 1은 양극산화 공정을 나타낸 모식도로 왼쪽 열은 실험공정 명칭 및 실험조건, 오른쪽 열은 AAO형성 과정의 개략적인 모식도이다. 출발시편은 지름 10 mm, 두 께 0.25 mm, 순도 99.99%의 어닐링된 상업용 알루미늄기 판을 사용하였다. 첫 단계로 표면의 불순물을 제거하기 위 해 아세톤에서 30분간 초음파 세척한 후 과염소산(perchloric acid, 60%, Aldrich) 과 에탄올 (ethanol, 99%, Aldrich) 을 1:4의 부피비로 혼합한 용액에서 20 V를 인가하여 2분 동 안 전해연마를 실시하였다. 다음으로 3회 양극산화와 1회 식각을 실시하였다. 1차 양극산화와 이어지는 식각 (etching) 은 2차 양극산화에서 실질적인 나노기공을 형성 시키기 위한 출발점이 되는 흠집(pit)을 만드는 공정이다. 1차 양극산화의 실험조건은 전계 범위 구간이 큰 0.3 M의 옥살산 (C₂H₂O₄) 을 전해액으로 사용하였고, 전압은 40 V 와 80 V 그리고 전극은 Pt가 코팅된 Ti기판을 사용하였다. 또한 양극산화 공정 동안 이중재킷 비커의 바깥 벽에 저 온항온수조를 사용하여 냉각수를 순환시킴으로써 용액의 온도를 4°C로 유지하였으며, 공정이 진행되는 동안 균일 한 전기분해 반응을 위해 자석 교반기로 계속 저어주었다. 식각은 1차 양극산화에서 형성된 불규칙한 알루미늄 산화 층 제거하여 흠집만 남기는 과정으로 65°C에서 2시간 동 안 1.8 wt.% 크롬산 (H₂CrO₄) 과 6 wt.% 인산 (H₃PO₄) 혼 합용액을 사용하였다. 식각 후 이어지는 2차와 3차 양극 산화가 본 연구의 목적인 형상제어를 위한 주된 공정이며, 인가하는 전압에 변수를 두었다. 즉, 여기서 전압변수란 2 차 양극산화를 40 V (연질 양극산화) 에서 5분 동안 진행 한 후 80V로 승압한 다음 1분 동안 3차 양극산화 (경질 양극산화) 를 실시하거나 혹은 역으로 2차 양극산화를 80 V 그리고 3차 양극산화를 40 V에서 실시한 경우를 말 한다 (이때 1차와 2차 양극산화의 전압은 동일 함). 또 하 나의 주된 변수로는 2차 양극산화 전압에서 3차 양극산화 전압까지 도달하는 소요시간을 변수로 두었으며, 그 소요 시간은 1분, 2분 그리고 5분을 적용하였다. 최종 단계에서 형상관찰의 필요에 따라 기공확장을 한 경우와 하지 않은 경우가 있으며, 이때 기공확장은 화학적 기공확장으로 인 산(5 wt.% H₃PO₄, 30°C, 30분 유지) 에서 실시하였다. 제 조된 AAO의 구조와 형상을 분석하기 위해 X-선 회절기 기(XRD, Cu Kα, Bruker Co. DE/D2 PHASER) 와 전계 방출형 주사전자 현미경 (FE-SEM Philips XL30S FEG) 을 사용하였다.

Fig. 1

Experimental flow chart of 3-step anodization (left) and schematic illustration of AAO formation (right).

AAO가 리튬이차전지에서의 음극활물질의 부피팽창을 억제하여 전기화학적 특성을 향상시킬 수 있는지, 즉 지지 체로서의 가능성이 있는지를 알아보기 위해 AAO 기공 내 에 전극물질 (이하, 슬러리 (slurry)) 을 삽입한 후 전기화 학적 특성을 평가하였다. 또한 비교를 위해 가장 일반적인 전극 제조 방법인 집전체 (구리 호일) 위에 슬러리 (Slurry) 를 도포한 전극을 제조하여 동일 조건으로 전기화 학적 특성을 평가하였다. 슬러리는 활물질인 실리콘 나노 분말 (평균입도 50 nm), 도전재 Super-P와 바인더 Poly (vinylidene fluoride (PVdF) 를 6:2:2 비율로 3시간 동안 볼-밀링으로 섞어 제조하였다. 이 때, 바인더는 1-Methyl- 2-pyrrolidinone (NMP, anhydrous, 99.5%, Aldrich)에 1시 간 녹인 후 활물질 및 도전재를 혼합하였다. 지지체로서 사용된 AAO는 전도성 향상을 위하여 아르곤(Ar)분위기 에서 800°C로 승온시킨 후 아세틸렌 (C₂H₂) 20 sccm과 수 소 (H₂) 100 sccm을 주입하여 5분간 탄소를 코팅한 후 혼 합된 슬러리를 붓을 이용하여 수십 차례의 붓질을 통하여 AAO 기공에 삽입하였다. 사용된 셀은 CR2032 (Ø20, T3.2 mm) 타입의 리튬 반쪽 전지이다. 분리막은 Celgard 2400을 사용하였고, 전해액은 1:1 체적비를 갖는 Ethylene Carbonate (EC)/Diethyl Carbonate (DEC) 안에 1 mol의 LiPF₆ 리튬염을 용해시켜 사용하였다. 셀의 조립은 아르곤 분위기의 글로브 박스 내에서 실시하였으며, 전기화학적 특성평가를 위해 WBCS3000L (Won-A tech) 장비를 사용 하여 0.01~1.5 V의 Cut-off 전압에서 0.1 C-rate의 인가전 류를 사용하였다.

3. 결과 및 고찰

양극산화과정에서 전압이 낮으면 알루미늄 표면에 가해 지는 단위 전기장의 범위가 좁아서 고전압에 비해 단위면 적당 형성되는 단위 전기장 영역의 개수가 많아지고 따라 서 직경이 작은 더 많은 수의 기공을 갖는 AAO가 형성된 다[21]. 즉, 양극산화 전압이 증가할수록 알루미늄 양극산 화에 의해 형성되는 기공 내경과 벽 두께는 증가하고 따 라서 기공 밀도는 감소한다. 본 연구에서는 이러한 단순한 원리에 착안해 가장 일반적인 양극산화 공정을 활용해 AAO의 형상을 제어하였다.

그림 2는 본 연구의 목적인 형상제어 실험을 진행하기 전에 본 실험조건이 우수한 AAO형성에 적합한 조건인지 를 확인한 결과이다. 실험은 1차 양극산화, 식각, 2차 양 극산화 그리고 화학적 기공확장 순으로 진행하였고, 2차 양극산화 과정에서 1시간 동안 전압을 40 V와 80 V 두 조건에서 실시하였다. 그림 2(a)는 40V에서 2차 양극산화 후에 관찰한 것이고 그림 2(b)는 기공확장까지 한 후의 결 과이다. 그리고 삽입된 사진은 단면의 형상이다. 그림 2 (c)와 (d)는 2차 양극산화를 80 V에서 실시한 결과이다. 40 V에서 양극산화 후 그리고 기공확장 후의 평균 기공 내경과 벽 두께는 각각 평균 35 nm와 65 nm 그리고 60 nm와 40 nm였다. 80V에서 실시한 경우의 양극산화 직 후와 기공확장 후의 기공 내경과 벽 두께는 각각 평균 75 nm와 85 nm 그리고 150 nm와 10 nm 정도였다. 전자 현미경으로 표면사진을 촬영 후 직접 세는 방법으로 40V 와 80 V에서의 2차 양극산화 후 기공의 개수를 비교하였 다. 40 V와 80 V 양극산화 후 단위 μm2당 기공의 개수는 각각 평균 166개와 35개로 약 4.7:1의 비율로 큰 차이를 보였다. 이는 40 V와 80 V의 전압이 인가되었을 때 형성 되는 단위 전기장의 크기가 매우 다르다는 것을 의미하며, 이는 본 연구의 목적인 형상제어에서 전압변화가 큰 영향 을 줄 것이라는 것을 시사한다. 그림 2에서 볼 수 있듯이 두 경우 모두 이물질이 없고 기공의 균일도와 정렬도가 매우 우수한 나노구조가 형성되었다는 것을 확인할 수 있 다. 그림 3은 그림 2에서 얻어진 두 AAO에 대한 X-선 회 절시험 결과이다. 두 경우 모두 어떠한 회절 피크도 관찰 되지 않았으며, 이는 형성된 물질이 비정질 알루미늄 산화 물인 것을 의미한다[22]. 그림 2와 3의 결과로 볼 때 본 실 험조건이 우수한 AAO를 얻을 수 있는 알루미늄 양극산 화조건이라는 것을 확인하였고 이를 바탕으로 AAO의 형 상제어 실험을 실시하였으며, 그 결과를 그림 4와 5에 나 타내었다.

Fig. 2

FE-SEM images of AAO top surface prepared at 40 V (a, b) and 80 V (c, d): (a), (c) after second anodization step and (b), (d) after pore widening step. The insets show cross-sectional images.

Fig. 3

XRD patterns of AAO shown in Fig. 2(b) and 2(d).

Fig. 4

FE-SEM images showing cross-sectional of AAO prepared at 40 V for second anodization step and 80 V for third anodization step. The run-time of voltage change of (a), (b), and (c) is 1, 2 and 5 min, respectively.

Fig. 5

FE-SEM images showing cross-sectional of AAO prepared at 80 V for second anodization step and 40 V for third anodization step. The run-time of voltage change of (a), (b), and (c) is 1, 2 and 5 min, respectively.

그림 4는 2차 양극산화를 40 V(연질 양극산화)에서 5 분 동안 진행한 후 승압 소요시간(1, 2, 5분)을 달리하여 80V(경질 양극산화)까지 승압한 후 1분 동안 유지한 다음 얻은 AAO의 단면 사진이다. 각 그림에 삽입된 그림은 점 선 원으로 표시된 부분을 확대한 것이다. 그림 4에서 보여 준 AAO는 승압 소요시간에 관계없이 길이가 짧은 기공과 길이가 긴 기공이 교대로 나타나는 형상을 나타내었다. 기 공의 길이에 관계없이 그림 4에서 보여준 모든 기공은 2 차 양극산화 과정에서 형성된 것이며, 3차 양극산화 과정 에서 새롭게 형성된 기공은 없는 것으로 판단된다. 그 이 유는 우선 양극산화에 의해 기공이 형성되기 위해서는 전 해질과 순수한 금속 알루미늄의 접촉이 있어야 하는데, 2 차 양극산화 과정에서 기공이 형성되면서 기공과 기공 사 이의 벽이 금속 알루미늄에서 알루미늄 산화물로 바뀌기 때문에 3차 양극산화를 하더라도 표면에서 전해질과 순수 금속 알루미늄이 접촉할 수 없기 때문이다. 또한 그림 2에 서 기공 개수를 측정한 방법과 동일한 방법으로 2차 그리 고 3차 양극산화 직후의 기공의 수를 측정한 결과 그 개 수에는 거의 차이가 없었으며 그 개수는 그림 2의 40 V에 서 측정한 것과 거의 유사하였다. 이 결과 또한 3차 양극 산화 과정에서 새로운 기공의 생성이 없다는 것을 시사한 다. 따라서, 길이가 짧은 기공과 긴 기공이 존재하는 이유 는 짧은 기공은 2차 양극산화 과정에서 형성되어 성장하 다가 2차 양극산화의 종료와 함께 성장을 멈춘 것이고, 긴 기공이 형성된 것은 3차 양극산화 과정에서 80V의 전압 이 인가되었을 때 형성되는 단위 전기장의 영역과 이미 2 차 양극산화 과정에서 형성되어 있던 기공의 위치가 일치 하는 영역에서 양극산화가 계속 진행되어 기공이 성장하 기 때문인 것으로 판단된다. 즉, 80V에서의 전기장의 영 역은 40 V보다 넓기 때문에 형성되는 기공의 개수가 적어 서 2차 양극산화(40 V)에서 기 형성된 기공과 일대일의 비를 가질 수 없기 때문에 2차 양극산화에서 형성된 모든 기공이 이어지는 3차 양극산화(80 V)에서 모두 성장하는 것이 아니라 3차 양극산화에서 형성되는 단위 전기장의 영역과 일치하는 기공만 성장하는 것이다. 그림 4의 또 다 른 특징은 2차에서 3차 양극산화로 바뀌는 소요 시간이 짧을 경우에는(그림 4(a), (b) 화살표) 기공의 내경이 갑자 기 커지는 반면, 소요 시간이 긴 경우에는(그림 4(c) 화살 표) 점진적으로 기공의 내경이 커진다는 것이다. 이는 전 압이 천천히 증가할 경우에는 기공이 성장하면서 그 전기 장의 영역도 조금씩 넓어지기 때문에 기공의 내경이 점진 적으로 커진 것이고, 전압 변화가 빠를 경우에는 전기장의 영역도 갑자기 넓어지기 때문에 내경도 갑자기 변하게 된 것으로 해석된다. 그림 4의 마지막 특징은 그림 4(b)와 (c) 에서는 길이가 짧은 기공과 긴 기공이 대체적으로 일대일 비율로 교차되지만 승압 소요시간이 짧은 그림 4(a)의 경 우에는 짧은 길이를 갖는 기공이 긴 기공보다 더 많다는 것이다. 예로써 그림 4(a)의 점선으로 된 원 안을 보면 두 개의 짧은 기공이 연속적으로 존재하고 양쪽에 긴 기공이 존재하는 형상을 볼 수 있다. 이 형상에 대해 본 연구의 결과로는 그 원인을 명확히 설명하기 어렵다. 단, 짧은 시 간에 승압할 경우 2차 양극산화로 인해 이미 형성되어 있 던 기공과 벽 때문에 AAO의 표면은 불균일할 것이고, 따 라서 이어지는 3차 양극산화에서 형성되는 전기장의 영역 도 불규칙한 모양을 갖게 될 것이다. 이러한 이유로 위치 에 따라 짧은 기공과 긴 기공이 일대일 비율로 교차되기 도 하지만 그렇지 못한 영역도 나타나는 것으로 판단된다. 그림 4에서 보여준 AAO의 형상을 요약하면 기공의 길이 가 서로 다른 형상을 가지면서 기공의 내경이 변하는 형 상이라 할 수 있다.

그림 5는 그림 4의 실험조건과는 달리 2차 양극산화를 80 V (경질 양극산화) 에서 5분 그리고 이어지는 3차 양 극산화를 40 V (연질 양극산화) 에서 3분 동안 실시하였 으며, 또한 감압 소요시간 (1, 2, 5분) 을 달리하여 양극산 화를 실시한 결과이다. 그림 4에서와 마찬가지로 그림 5 에서도 2차 그리고 3차 양극산화 후 표면에서의 기공 개 수를 측정하였으며, 그 결과 그림 2의 80 V에서 경우와 거의 차이가 없다는 것을 확인하였다. 즉, 2차 양극산화 후 이어지는 3차 양극산화 과정에서 표면에서부터 새롭게 형성되는 기공은 없다는 것이다. 그림 5와 4의 형상 비교 에서 전체적인 차이점은 그림 5에서는 그림 4와 달리 길 이가 서로 다른 기공이 관찰되지 않는다는 것이다. 이것은 2차 양극산화에서 형성된 기공들이 전압이 바뀐 3차 양극 산화에서도 그대로 성장한다는 것을 의미한다. 단, 그림 5(a)에서는 약간 특이한 형상을 보였는데 그림 5(a)에 삽 입된 그림에서 볼 수 있듯이 하나의 기공이 두 개의 기공 으로 분리되어 성장하는 형상을 보였다. 이러한 형상이 나 타나는 이유는 전압을 80 V에서 40 V로 감압하면 80 V 에서 형성된 기공의 끝 부분에서 40 V의 전압 인가로 인 해 80V의 경우보다 작은 영역을 가진 전기장이 형성되고 이로 인해 1개 이상의 기공이 새롭게 형성되어 성장할 수 있기 때문이라 판단된다. 그림 5(b)와 (c)의 형상과 그림 4(b)와 (c)의 형상은 서로 반대되는 양상을 보였다. 그림 5(b)에서는 기공의 직경이 갑자기 감소하였고 그림 5(c)에 서는 기공의 직경이 서서히 감소하는 형상을 보였다. 이러 한 형상이 나타나는 이유에 대해서는 그림 4(b)와 (c)에서 설명한 경우와 반대로 이해될 수 있다. 이상의 실험결과를 요약해 보면 기공을 형성시키는 단계에서의 전압변화와 소요되는 시간 변화를 통해 여러 가지 형상의 AAO를 제 조할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

또한 본 연구에서는 지지체로서의 AAO 역할을 알아보 기 위해 리튬과 반응시 부피팽창이 가장 심한 실리콘 분 말을 사용하여 전기화학특성을 평가하였으며, 그 결과를 그림 6에 나타내었다. 그림 6(a)는 가장 일반적인 전극제 조 방법인 집전체 위에 슬러리를 도포한 후 관찰한 전극 의 측면 사진으로 슬러리의 두께는 약 6.5 μm 정도였다. 그림 6(b)는 AAO 내에 슬러리를 삽입한 전극의 측면 형 상을 관찰한 사진으로 슬러리가 AAO를 전체적으로 얇게 덮고 있으며, 또한 삽입된 그림에서 볼 수 있듯이 AAO 기공 내에 슬러리가 약 1.5 μm 깊이 정도 삽입되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 그림 6(b)에서 사용한 AAO는 우 선 지지체로서의 가능성을 알아보는 차원에서 가장 일반 적인 AAO형상인 그림 2(b)에서 보여준 것을 사용하였다. 이 두 전극의 전기화학적 특성인 사이클 수명을 그림 6(c) 에 나타내었다. 그림에서 볼 수 있듯이 집전체 위에 도포 된 슬러리 전극은 약 40 사이클까지 급격하게 용량이 감 소하다가 그 이후, 전극이 완전히 퇴화된 결과를 확인할 수 있었다. 반면 AAO 지지체를 이용한 전극은 200 사이 클이 진행됨에 따라 완만한 용량감소가 이루어졌으며, 200 사이클에서는 약 1003 mAh/g의 용량이 유지되었음을 확인할 수 있었다. 이는 AAO가 실리콘 나노분말의 지지 체로서 리튬과의 충방전시 음극활물질의 부피 팽창으로 야기되는 수명 문제를 개선 했다고 할 수 있으며, AAO 지지체를 이용한 전극이 일반적인 슬러리 형태의 전극에 비해 월등히 우수한 전기화학적 특성을 나타냄을 확인할 수 있었다. 즉, AAO가 리튬이차전지에서 부피팽창이 심 한 활물질의 문제점을 개선 할 수 있는 지지체로서 가능 성이 있다는 것을 시사한다.

Fig. 6

The morphologies of electrodes using (a) a common slurry (Si nanopowder + Super-P + PVdF) type on Cu foil as a current collector and (b) slurry inserted in carbon-coated AAO as a support(inset: enlarged image of cross-sectional view), and (c) their cycling performances.

4. 결 론

본 연구에서는 기공이 성장하는 양극산화 공정에서의 전압변화와 그 소요시간을 변수로 하여 AAO의 형상을 제 어하는 연구와 리튬이차전지용 Si 분말에서 AAO의 지지 체 효과를 연구하였다. 본 실험을 통해 기공의 길이가 서 로 다른 형상, 기공의 내경이 급격히 혹은 점진적으로 넓 어지거나 좁아지는 형상 그리고 하나의 기공이 두 기공으 로 나누어지는 가지 모양의 형상을 갖는 AAO 필름을 얻 을 수 있었다. 또한, 제조된 AAO를 지지체로 이용한 실리 콘 분말 전극은 200 사이클까지 1003 mAh/g이라는 우수 한 사이클 특성을 보여줌으로써, 다른 고용량 활물질의 단 점을 억제할 수 있는 지지체로서 높은 가능성이 있다는 것을 확인할 수 있었다. 본 실험 결과로 볼 때 전압을 더 욱 다양하게 그리고 더욱 극단적으로 변화시킬 경우 보다 다양한 형상의 AAO를 얻을 수 있을 것으로 판단되며, 이 러한 여러 가지 형상을 이용하여 이차전지의 지지체 또는 특수한 활물질 저장소로서의 맞춤형 기능을 할 수 있을 것으로 판단된다. 또한, 형상 조절된 AAO는 전지분야뿐 만 아니라 광범위한 응용분야에 적용될 수 있으며, 특히 나노물질을 합성할 수 있는 틀로서의 역할에도 그 중요성 이 더해질 것으로 사료된다.

Acknowledgements

감사의 글

이 논문은 2013년도 정부 (미래창조과학부) 의 재원으 로 한국연구재단의 지원을 받아 수행된 기초연구사업 (No. 2013R1A2A2A04016075) 과 2013년도 경남과학기술 대학교 기성회 연구비 지원에 의하여 연구되었음에 감사 드립니다.

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Figure & Data

References

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