서 론

매년 반도체 소자의 집적도가 증가하고 칩 사이즈가 감 소함에 따라 고분해능의 리소그래피와 원자 레벨의 평탄 화 기술이 요구되고 있다[1]. 미세하고 정교한 패턴을 형 성하기 위해서는 리소그래피 공정에서의 초점 심도(DOF; Depth of Focus)를 만족하고 Step coverage로 인한 문제를 최 소화하기 위한 평탄화 공정이 필수적이다. CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 가장 대표적인 평탄화 기술로써 최근 반도체 기술에 다양하게 적용되고 있다. CMP는 화 학 반응과 물리적 에칭(etching) 반응을 통해 웨이퍼를 평 탄화 시키는 폴리싱(polishing) 공정으로 화학액과 연마입 자로 구성된 슬러리의 화학적 작용과 연마기의 기계적 작 용에 의해 수행된다[2]. 평면상을 회전 운동하는 연마 테 이블 표면에 연마 패드를 붙이고 연마제가 포함된 슬러리 를 공급하여 웨이퍼를 마찰 시킴으로써 평탄화되며, 산화 된 실리카 표면이 연마 슬러리에 접촉하면 CMP 공정 중 인 가된 압력과 슬러리 내 알칼리의 작용으로 산화막 표면의 siloxane(Si-O-Si) 결합이 연마되기 쉬운 수화물 Si(OH)4로 변형되고, 이 수화물은 실리카 입자에 의해 연마된다[3].

CMP 공정 중 연마 재료로 사용되는 슬러리는 화학첨가 물을 포함한 수용액과 연마입자인 콜로이달 실리카로 구 성되어 있으며, CMP 공정 단계에 따라 1차 연마 슬러리 와 2차 연마 슬러리로 구분된다. 1차 연마 슬러리의 경우 1차 폴리싱 공정에서 웨이퍼 표면의 deep scratch 제거와 bare wafer 평탄화에 사용되며, 2차 연마 슬러리의 경우 미 세한 micro scratch를 제거하여 mirror phase를 구현하는 2 차 폴리싱 공정에 사용된다[4]. 결국 웨이퍼의 평탄화를 위해서는 각 공정에서 사용되는 연마 슬러리의 조성과 분 산안정성이 중요하게 작용하지만 기존의 기술개발은 고가 의 2차 연마 슬러리를 중심으로 이루어져 deep scratch 제 거를 위한 1차 연마 슬러리에 대한 연구는 부족한 실정이 다[5]. 특히, 1차 슬러리의 경우 2차 슬러리에 비해 연마 입자의 크기가 크기 때문에 슬러리 내 연마입자들의 응집 현상이 발생하면 웨이퍼 표면에 불균일한 하중이 초래되 어 결함이 발생한다. 따라서 1차 웨이퍼의 평탄성 및 에칭 속도를 유지하고 표면에 존재하는 scratch를 최소화하기 위해서는 1차 슬러리 내 연마입자들의 분산성 향상 및 조 성 제어가 중요하다[6]. 슬러리 내 연마입자들의 응집현상 을 막기 위해 주로 연마 슬러리에 첨가제를 넣어 입자의 분산성을 향상시키는 연구들이 진행되었는데[7, 8], 그 중 계면활성제의 첨가는 슬러리 내 연마입자인 콜로이달 실 리카의 이중층 상호 작용을 촉진시켜 입자들을 분산시키 므로 입자 간 응집현상을 억제 시킬 수 있다[9]. 이러한 분 산안정화를 통해 슬러리 내 거대 입자 불순물의 생성이 억제되면 미크론 단위의 light point defect이 감소하고 웨 이퍼 표면에 잔류하는 물질 제거율을 증가시켜 표면 roughness를 줄일 수 있다. 또한, 계면활성제 첨가를 통해 분산된 연마입자가 CMP 공정 중 입자의 이동을 원활하게 하여 연마 속도를 증가시키므로 scratch로 인한 표면 결함 을 감소시킬 수 있다. 이와 같이 계면활성제의 첨가는 연 마 입자의 분산안정성에 영향을 줄 뿐만 아니라 슬러리의 화학적 안정성과 CMP 성능에 주요한 역할을 한다. 그러 나 계면활성제의 분자 구조, 전하 형태, 슬러리 내 콜로이 달 실리카의 입도 및 함량에 따라 연마입자의 분산 특성 도 달라지게 된다[10]. 따라서 슬러리 내 연마 입자의 응 집현상 방지와 웨이퍼 표면의 scratch 감소를 위해서는 계 면활성제의 종류 및 특성에 따른 분산안정성에 관한 연구 가 필요하다.

본 연구에서는 CMP용 1차 연마 슬러리 내 콜로이달 실 리카의 입도, 함유량에 따른 분산 특성 비교를 통해 deep scratch 제거를 위한 슬러리의 조성 최적화 조건을 도출하 였으며, 고분산 입자 형성을 위해 계면활성제의 종류, 함 량 그리고 첨가 후 경과 시간에 따른 실리카 졸의 분산안 정성 변화를 분석하였다.

실험 방법

본 연구에서는 실리콘 웨이퍼 CMP용 슬러리의 계면활 성제 첨가에 따른 분산 안정성을 확인하기 위하여 상용 슬러리 실리카 졸을 사용하였다. 실리카 졸 물성 차이에 따른 분산성 비교를 위하여 각기 다른 실리카 졸 샘플들 을 사용하여 분석하였다. 실리카 졸 샘플은 N-1(J-3 Co., Ltd.), N-2(Dongjin), N-3(J-3 Co., Ltd.) 세가지를 사용하였 으며, 실리콘 CMP 공정에 따라 슬러리는 pH는 10이상으 로 조절하였다. 표 1은 실리카 졸 샘플들의 기초 물성을 나타낸다.

Table 1

Silica sol sample characteristics.

계면활성제는 양이온성, 음이온성, 양쪽성 계면활성제를 첨가하였으며, 양이온성 계면활성제로는 Cetyltrimetyl ammoninum bromide(CTAB, Daejung chemical), Dodecyltrimethyl ammonium bromide(DTAB, Sigma-Aldrich), Cetylpyridinium chloride(Cetyl, Sigma-Aldrich) 음이온성 계면활성제 로는 Sodium dodecylbenzene sulfonate(SDBS, Sigma- Aldrich), Sodium lauryl sulfate(SLS, Daejung chemical), Dioctyl sulfosuccinate sodium salt(Dioctyl, Daejung chemical) 양쪽성 계면활성제로는 Ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA, Daejung chemical), Ethylenediaminetetraacetic acid-2Na dihydrate(EDTA-2Na, Daejung chemical)를 첨가 하였다. 실리카 졸 샘플에 계면활성제를 첨가한 후 1500 rpm에서 1분30초 동안 mixing하였으며, 1시간 동안 sonication을 통하여 분산시켰다. 계면활성제 첨가량 최적 화를 위하여 10 wt%, 20 wt%를 넣어 실험을 진행하였다. 이후 시료를 deionized water(DI water)로 희석한 후 분산 된 입자의 분산 안정성을 제타전위측정기(Zeta-potential, nanoplus)를 통하여 측정하였다. 또한, 다중광산란법(multiple light scattering method)을 이용한 Dispersion Stability Analyzer (Turbiscan, Formulaction)를 통해 시료를 희석하지 않고 실제 농도에서 장시간 분산 안정성을 측정하였다. Turbiscan 측 정용 바이알(glass vial)에 시료를 25 mL 취해 넣고 25°C 항온조건에서 5시간 동안 5분 간격으로 측정하여 장시간 중 시료 내부에서 일어나는 현상을 분석하였다.

결과 및 고찰

CMP용 1차 슬러리 내 실리카의 물성에 따른 연마입자 의 분산 특성을 확인하기 위해 여러 종류의 이온성 계면 활성제를 입도 및 함유량이 다른 실리카 졸 샘플들에 첨 가하여 분산안정성 변화를 분석하였다. 실리카 졸의 입도 와 함유량에 따라 N-1, N-2, N-3로 분류하여 각각의 물성 을 표 1에 나타내었다. 실리카 졸 N-1의 경우 입도 46 nm 실리카 함유량 30 wt%로 샘플들 중 가장 입도가 작고 실 리카 함유량 또한 낮았으며, N-2의 입도는 73 nm 함유량 은 51 wt%로 샘플들 중 입도와 함유량이 큰 특성을 가졌 다. N-3는 입도가 75 nm로 N-2와 유사하였으나, 실리카 함유량은 30 wt%로 차이가 있었다. 실리카 졸 물성 차이 가 분산성에 미치는 영향을 확인하고, 고분산 연마입자 형 성을 위한 계면활성제의 조성 최적화 조건을 도출하기 위 해 계면활성제 종류, 함량에 따른 분산안정성을 정량적으 로 확인하였다. 계면활성제 첨가에 따른 (a) N-1, (b) N-2, (c) N-3의 Zeta potential의 변화를 그림 1에 나타내었다. Zeta-potential의 분석은 실리카 표면의 하전 상태를 측정 하는 방법으로 입자 간의 반발력을 유발할 수 있는 입자 의 표면에너지를 일컫는다. 측정된 전기 영동 이동도는 Smoluchowski 방정식을 통해 Zeta-potential(ζ)로 변환되었 다[11].

Fig. 1

Zeta potential data with 10 wt% of surfactant added to silica sol (a) N-1 (b) N-2 (c) N-3.

(1)

ζ=η⋅U0ε⋅ε0⋅E

여기서 ε는 분산제의 상대 유전율, ε₀ 진공의 유전율, η 액체의 점도, E 전계 강도, U₀ 전기 영동 이동성을 의미한 다. Zeta potential 분석을 통해 실리카 졸은 negative charge를 띄고 있으며 계면활성제 첨가에 따라 표면 charge가 변화하는 것을 확인하였다. 실리카 졸 N-1과 N- 3의 경우 음이온성 계면활성제인 Dioctyl를 첨가하였을 때 Zeta potential 값이 가장 높게 측정되었고, N-2의 경우 SLS를 첨가하였을 때 가장 높았다. 이상의 내용은 표 2에 정리 하였다. 초기 실리카 졸 샘플들의 Zeta potential값과 비교하였을 때 각각 9.304 mV, 18.7 mV, 33.044 mV 만큼 그 값이 증가되었다. 이상의 결과를 통해 계면활성제 첨가 에 따라 실리카 졸 샘플의 분산성 증진효과를 확인하였으 며, 이는 계면활성제 첨가와 초음파 처리를 통해 고분산 안정성을 확보한 저가의 1차 연마 슬러리의 상용화가 가 능함을 보여준다. Zeta potential 분석결과 실리카 졸 샘플 모두에서 분산성 증진효과는 나타났으나 실리카 졸 N-3, N-2, N-1순으로 분산성이 증가되는 바, 이러한 차이는 실 리카 졸 특성이 분산안정성에 영향을 주는 것으로 설명할 수 있다. 실리카 졸 샘플들 중 75 nm로 실리카의 입도가 가장 크지만 실리카 함유량이 30 wt%로 낮았던 N-3의 분 산효과가 가장 크게 나타났으며, 73 nm로 실리카 입도가 크며 실리카 함유량이 50 wt% 이상인 N-2는 N-3에 비해 분산성이 감소하였다. 실리카의 입도가 46 nm로 작고 함 유량 또한 30 wt%로 낮은 실리카 졸 N-1의 경우 계면활 성제 첨가에 따른 분산효과가 가장 낮게 나타났다. 동일하 게 실리카 함유량이 적은 N-3와 비교하였을 때 N-1의 분 산 효과가 현저히 낮았으며, 이는 분산성이 슬러리 내 연 마입자의 입도에 영향을 받았음을 보여준다. 입도가 작을 수록 비표면적이 증가하여 Gibb's free energy 또한 증가하 므로 불안정한 입자는 안정한 상태가 되기 위해 응집하여 비표면적을 줄이게 된다. 따라서 슬러리 내 나노 스케일인 실리카의 입도가 작을수록 응집력이 증가하여 분산성이 감소된 것으로 판단된다. 결과적으로 실리카의 입도가 큰 조건에서 1차 슬러리의 분산성 증진효과가 더욱 향상되었 으며, 이는 웨이퍼 표면의 deep scratch 제거와 bare wafer 평탄화에 효과적일 것으로 예상된다. 앞선 결과에서 모든 실리카 졸 샘플들에 대해 음이온성 계면활성제 첨가 시 분산성이 가장 증가하였는데, 이는 실리카 졸 자체가 negative charge를 띄고 있어 계면활성제 입자가 표면에 흡 착 시 표면 charge를 변화하는데 필요한 Gibb's free energy가 작았기 때문으로 해석된다. 반면, 양이온성 계면 활성제의 경우 양이온이 음으로 하전 된 실리카 연마제로 중화되어 슬러리 내 침전을 일으키기 때문에 Zeta potential의 감소한 것으로 판단된다. 또한, 계면활성제 종 류에 따라 분산성 향상 정도에 차이를 나타냈다. N-1과 N-3의 경우 Dioctyl을 첨가하였을 때 분산성이 증가된 반 면, N-2의 경우 다른 음이온성 계면활성제인 SLS 첨가시 에 분산성이 향상되었다. 이는 N-1, N-3에 비해 N-2가 슬 러리 내 실리카 함유량이 높기 때문으로 이를 통해 실리 카 함유량이 계면활성제에 영향을 미치는 것을 확인할 수 있다. 즉, 상기 결과를 통해 실리카 졸의 물성 차이가 계 면활성제 첨가에 따른 1차 연마 슬러리의 분산안정성에 밀접한 관련이 있음을 보여준다.

Table 2

Difference of Zeta potential by Surfactant Addition.

계면활성제 함량에 따른 장시간 분산안정성을 확인하고 자 실리카 졸 내 계면활성제의 농도를 10 wt%와 20 wt% 로 첨가하여 분석한 Turbiscan Stability Index(TSI) 결과를 각각 그림 2와 그림 3에 나타내었다. Turbiscan은 multiple light scattering을 이용하여 샘플의 아래에서 위로 이동하며 연속적 scanning을 통해 분산상인 입자의 크기와 부피 분 율에 따른 transmission 및 backscattering된 빛의 flux(%)의 동시측정이 가능하다. 5시간동안 5분간격으로 반복 scanning함으로써 분산상태의 변화에 따른 profile의 변화 로부터 분산안정성을 측정하였다. 분산된 입자의 크기와 농도 간의 함수관계를 통해 입자크기 증가로 인해 시료 내 부의 위쪽과 아래쪽의 농도 구배가 발생하여 backscattering flux(%)가 달라지는 것을 이용하여 분산안정성의 변화를 분석하였다[12]. Fig. 3

Fig. 2

Turbiscan TSI data with 10 wt% of surfactant added to silica sol (a) N-1 (b) N-2 (c) N-3.

Fig. 3

Turbiscan TSI data with 20 wt% of surfactant added to silica sol (a) N-1 (b) N-2 (c) N-3.

(2)

TSI=∑i=1n(Xi−XBS)2n−1

X_i는 스캔에 대한 back scattering의 평균값을 나타내고 X_BS는 X_i의 평균값, n은 스캔 횟수이다. TSI 값은 0~100까 지 측정되며, TSI 값이 낮을수록 분산성이 우수한 것을 의 미한다[13]. 실리카 졸 샘플에 계면활성제를 첨가함으로써 연마입자들 간의 침전 및 응집을 방지하여 TSI값이 낮게 측정되었다. 특히, 계면활성제 10 wt% 첨가 시 각각 DTAB, CTAB, Cetyl가 장시간 분산안정성이 가장 우수한 것으로 나타났으며, 20 wt% 첨가 시 각각 SDBS, DTAB, CTAB 의 분산성이 가장 우수하였다. 계면활성제 첨가에 따른 TSI 결과를 통해 슬러리 내 실리카 함유량이 낮았던 N-1 과 N-3는 20 wt% 첨가에 비해 10 wt% 첨가 시 분산안정 성이 증가하였으며, 이에 따라 계면활성제 첨가량을 낮췄 음에도 장시간 분산안정성이 증가함을 확인하였다. 이를 통해 슬러리 내 실리카 함유량이 적을수록 계면활성제 첨 가량 또한 저농도에서 장시간 분산안정성이 증가됨을 알 수 있으며 고농도에서는 입자 간의 거리가 가까워짐에 따 라 van der waals 힘 및 hydrodynamic 인력 작용에 의해 입자의 응집이 일어나는 것으로 해석된다[14]. 또한 보편 적인 계면활성제 첨가량인 1-5 wt%를 첨가하여 최종 슬러 리를 제조할 경우 이와 같은 분산안정성이 향상될 것으로 판단되며, 저가의 실리카를 포함한 1차 슬러리가 계면활 성제 첨가에 따라 희석하지 않은 실제 농도에서도 장시간 분산안정성이 증진됨을 확인하였다. 이상의 결과를 통해, 계면활성제가 1차 슬러리 입자의 응집을 막음으로써 고분 산 입자를 형성해 CMP 공정 중 웨이퍼 표면에 발생하는 scratch를 줄이고 연마입자의 이동을 원활하게 할 것으로 판단된다.

Zeta potential에서 분산성이 높게 나타났던 계면활성제 가 시간이 경과함에 따라 Turbiscan data를 통해 분산안정 성의 차이가 관찰되는 바, 이는 시료의 희석이 입자 표면 의 charge를 측정하는 Zeta potential에 영향을 준 것으로 설명할 수 있다. 희석에 따라 알칼리성 수용액으로 이루어 진 실리카 졸 내 Si와 OH- 이온들이 결합하여 Si-OH 형 태로 치환됨에 따라 OH- 이온이 소진되어 pH를 감소시키 고 이는 Zeta potential에 영향을 준 것으로 해석된다 [15]. 또한, Zeta potential에서 음이온성 계면활성제가 분산성이 높게 나타났던 반면 경과시간에 따른 장시간 분산안정성 에서는 양이온성 계면활성제가 분산성이 높게 나타났는데, 이는 음이온성 계면활성제의 입자 표면에 소수성 부분인 알 킬기가 흡착하여 음전하를 줌으로써 고농도 첨가 시 과잉 의 대전 이온에 의해 전하의 차단이 일어나 분산작용을 부여함에도 입자가 응집하는 결과를 가져오는 것으로 판 단된다[16]. 이를 통해 나노 입자들이 특정 값을 갖는 안 정적인 부피 분율 범위가 존재하며, 희석함에 따라 Zeta potential 값의 편차가 발생하는 것을 확인하였다. 따라서 1차 슬러리 내 계면활성제 첨가 시 연마입자의 응집을 방 지하기 위해선 부피 분율 범위에 적합한 계면활성제의 양 이 요구됨을 알 수 있다.

그림 4는 계면활성제 첨가 후 경과 시간에 따른 실리카 졸 샘플 내 분산 상태의 변화를 분석한 Turbiscan backscattering (BS) 데이터이다. 일정한 온도조건하에서 경과 시간에 따라 분산안정성이 저하되는 현상은 입자들의 이동으로 인한 particle migration과 입자들의 응집으로 인한 particle size variation에 의해 이루어진다[17]. 이에 따라 그림 4(a)의 BS값의 변화를 보면 계면활성제를 첨가하지 않은 N-1 시 료의 상부의 BS값이 증가하는 것을 볼 수 있으며, 이는 creaming 현상으로 분산상인 입자가 시료의 상부로 이동 하기 때문이다. 앞서의 결과를 고려할 때, 실리카 졸 샘플 N-1은 시간이 지남에 따라 creaming 현상이 발생한 것으 로 해석되며, 이때 계면활성제 DTAB를 10 wt% 첨가한 경우 입자의 variation이 없고 안정해짐을 통해 장시간에 도 분산안정화를 유지함을 의미한다. 반면, 계면활성제 CTAB 첨가시 BS의 bottom-middle-top 값이 수평하게 감소 하는 것을 통해 시간이 지남에 따라 유착(flocculation)에 의 한 particle size variation 현상이 발생한 것을 확인할 수 있다 [18]. 그림 4(b)는 N-2 시료에 대한 Turbiscan backscattering (BS) 결과를 나타낸 것으로, 동일한 CTAB를 첨가하였음에 도 첨가량을 10 wt%에서 20 wt%로 변화함에 따라 분산성 이 감소하였다. 이를 통해 슬러리 내 실리카 함유량 자체 가 높은 N-2에 계면활성제 또한 고함량 첨가할수록 다량 의 입자 응집으로 인해 상대적으로 무거워진 입자의 침강 이 일어나며 이는 분산안정성이 실리카 졸 특성과 계면활 성제의 첨가량에 영향을 받은 것으로 해석할 수 있다.

Fig. 4

Turbiscan backscattering profiles of surfactant added silica sol (a) N-1 (b) N-2.

그림 5는 계면활성제 첨가에 따른 현상을 확인하기 위 해 실리카 졸 N-1과 N-2에 CTAB를 첨가한 이미지이다. N-1과 N-2에 동일한 CTAB를 첨가하였음에도 N-1 시료에 서 유착에 의해 응집으로 침전이 일어난 반면 N-2의 경우 시료내 계면활성제가 용해되어 분산이 이루어졌음을 볼 수 있다. 이는 앞선 BS 결과와 상당히 유사하며 N-2의 경 우 CTAB 첨가 시 분산이 잘 이루어짐을 의미한다. 그림 4와 그림 5의 결과를 고려할 때 이는 실리카 졸 특성에 따 라 차이가 발생한 것으로 판단되는데, N-1의 경우 실리카 졸 내 입도가 가장 작고 함유량 또한 낮았던 반면 N-2의 경우 입도와 함량이 큰 특성을 가졌다. 이와 같은 상이한 실리카 졸 특성 차이에 의해 동일한 계면활성제 첨가 시 에도 분산 특성에 영향을 미치는 것을 확인할 수 있으며 이는 실리카 졸에 따라 각각의 분산성이 향상되는 계면활 성제를 첨가해야 됨을 알 수 있다.

Fig. 5

Image of addition of surfactant CTAB 10wt% to (a) N-1 (b) N-2.

그림 6은 실리카 졸의 물성이 분산안정성에 미치는 영 향을 확인하기 위한 Turbiscan TSI 그래프이다. 계면활성 제 첨가 전 실리카 졸 샘플들 자체의 분산안정성을 비교 할 때, 실리카 졸 N-2가 장시간 분산안정성이 가장 높게 나타났지만 앞선 연구에서 계면활성제 첨가 시 N-1과 N- 3의 분산안정성 증진 효과가 더 크게 나타났다. 이에 따라 1차 연마 슬러리의 분산안정성이 계면활성제의 종류 및 첨가량에 따라 변화되며, 슬러리 내 연마입자의 입도가 크 고 실리카 함유량이 낮을수록 1차 슬러리의 분산성이 높 게 나타남을 보여준다. 상기 결과를 통해, 동일한 실리카 졸임에도 슬러리 내 연마입자의 종류, 연마입자 함유량, 연마입자 입도와 같은 물성에 따라 그 분산 특성이 달라 지며 이와 같은 차이를 이용하여 적용하고자 하는 CMP 공정에 따라 1차 연마 슬러리의 물성제어가 요구됨을 확 인할 수 있다.

Fig. 6

Turbiscan TSI data of silica sol samples without surfactant.

결 론

본 연구에서는 CMP용 1차 슬러리의 분산안정성을 높이 기 위해 계면활성제를 첨가하였다. 측정된 Zeta potential 을 통하여 계면활성제의 종류에 따라 실리카 졸이 정전기 적 영향을 받음을 확인하였다. 실리카 졸 샘플들이 동일하 게 음이온성 계면활성제를 첨가하였을 때 Zeta potential이 증가하였는데, 이는 실리카 졸 자체가 negative charge를 띄고 있어 반발력의 영향을 작게 받은것으로 해석된다. 계 면활성제 첨가에 따른 장시간 분산안정성을 확인하기 위 하여 Turbiscan 분석을 실시한 결과 Zeta potential에서 분 산성이 높게 나타났던 계면활성제들이 장시간 분산안정성 에서는 실리카 졸 내 분산상태의 변화가 나타났다. 앞선 결과를 고려할 때 입자 표면의 charge를 측정하는 Zeta potential이 시료의 희석에 영향을 받으며, 음이온성 계면 활성제가 고농도에서 과잉의 대전이온에 의해 시간이 경 과함에 따라 입자의 응집이 일어나는 것으로 판단된다. 또 한, 각각의 Turbiscan backscattering(BS)를 통하여 장시간 경과에 따른 시료 내부의 현상들을 해석하였다. 분산안정 성이 저하되는 현상은 입자들의 이동으로 인한 particle migration과 입자들의 응집으로 인한 particle size variation 에 의해서 나타났다. 계면활성제 첨가에 따라 1차 슬러리 의 고분산 안정성을 확보하였으며, 첨가량에 따른 분산상 의 차이를 확인하였다. 본 연구에서는 특성이 다른 실리카 졸 샘플들의 비교를 통하여 1차 연마 슬러리 내 연마입자 의 종류, 연마입자의 함유량, 연마입자 입도에 따라서 그 분산 특성이 달라짐을 확인하였다.

Acknowledgements

감사의 글

본 연구는 중소기업기술정보진흥원 산학연협력기술개 발사업(C0563654)의 지원으로 수행된 연구입니다.

• 1. G. B. Basim and B. M. Moudgil: J. Colloid Interface Sci.., 256 (2002) 1370021-9797Article
• 2. F. I. and G. Ipate: Lubricants., 5 (2017) 15Article
• 3. C. W. Liu , B. T. Dai, W. T. Tseng and C. F. Yeh: J. Electrochem. Soc.., 143 (1996) 7160013-4651Article
• 4. E. S. Choi and S. I. Bae: J. Korean Ceram. Soc.., 44 (2007) 98Article
• 5. Y. M. Ahn , J. Y. Yoon, C. W. Baek and Y. K. Kim: Wear., 257 (2004) 7850043-1648Article
• 6. R. Dylla-Spears , L. Wong, P. E. Miller, M. D. Feit, W. Steele and T. Suratwala: Colloids Surf., A., 447 (2014) 320927-7757Article
• 7. J. M. Neirynck , G. R. Yang, S. P. Murarka and R. J. Gutmann: Thin Solid Films., 290-291 (1996) 4470040-6090Article
• 8. D. Ng , S. Kundu, M. Kulkarni and H. Liang: J. Electrochem. Soc.., 155 (2008) H640013-4651Article
• 9. B. P. Binks , J. A. Rodrigues and W. J. Frith: Langmuir., 23 (2007) 36260743-7463ArticlePubMed
• 10. Z. Zhang , W. Liu and Z. Song: Appl. Opt.., 49 (2010) 54800003-6935ArticlePubMed
• 11. O. Goncharuk , V. M. Gunko, A. Ugnivenko, K. Terpilowski and E. Skwarek: Nano Res. Appl.., 3 (2017) 29Article
• 12. J. M. Byun , C. W. Park, Y. I. Kim and Y. D. Kim: J. Korean Powder Metall. Inst.., 25 (2018) 257Article
• 13. M. G. De Paola , V. Calabrò and M. De Simone, (2017)
• 14. G. S. Cho , D. H. Lee, D. S. Kim, H. M. Lim, C. Y. Kim and S. H. Lee: Korean Chem. Eng. Res.., 51 (2013) 622Article
• 15. J. H. Lee , H. J. Hwang, K. S. Han, K. T. Hwang and J. H. Kim: Korean. J. Mater. Res.., 26 (2016) 5700884-2914
• 16. S. Y. Park , H. K. Jeong, M. S. Kim and K. D. Nam: J. Korean Ind. Eng. Chem.., 13 (2002) 558.
• 17. J. Liu , X. F. Huang, L. J. Lu, M. X. Li, J. C. Xu and H. P. Deng: J. Hazard. Mater.., 190 (2011) 2140304-3894ArticlePubMed
• 18. C. Celia , E. Trapasso, D. Cosco, D. Paolino and M. Fresta: Colloids Surf., B., 72 (2009) 1550927-7765ArticlePubMed

Figure & Data

References

Citations

Citations to this article as recorded by  

• Surface Defect Properties of Prime, Test-Grade Silicon Wafers
  Seung-Hwan Oh, Hyeonmin Yim, Donghee Lee, Dong Hyeok Seo, Won Jin Kim, Ryun Na Kim, Woo-Byoung Kim
  Korean Journal of Materials Research.2022; 32(9): 396.     CrossRef