Warning: mkdir(): Permission denied in /home/virtual/lib/view_data.php on line 81

Warning: fopen(upload/ip_log/ip_log_2024-11.txt): failed to open stream: No such file or directory in /home/virtual/lib/view_data.php on line 83

Warning: fwrite() expects parameter 1 to be resource, boolean given in /home/virtual/lib/view_data.php on line 84
Mechanical Alloying of GaSe and GaTe Systems
Skip Navigation
Skip to contents

Journal of Powder Materials : Journal of Powder Materials

OPEN ACCESS
SEARCH
Search

Articles

Page Path
HOME > J Korean Powder Metall Inst > Volume 21(5); 2014 > Article
ARTICLE
GaSe및 GaTe계의 기계적 합금화 거동
최정보, 안중호*
Mechanical Alloying of GaSe and GaTe Systems
Jung Bo Choi, Jung-Ho Ahn*
Journal of Korean Powder Metallurgy Institute 2014;21(5):338-342.
DOI: https://doi.org/10.4150/KPMI.2014.21.5.338
Published online: September 30, 2014

안동대학교 신소재공학부

School of Advanced Materials Engineering, Andong National University, 1375 Gyeongdong-ro, Andong, Gyeongbuk 760-749, Korea

*Corresponding Author : Jung-Ho Ahn, TEL: +82-54-820-5648, FAX: +82-54-820-6126, E-mail: jhahn@andong.ac.kr
• Received: August 9, 2014   • Revised: September 26, 2014   • Accepted: October 8, 2014

© Korean Powder Metallurgy Institute

This is an Open-Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License (http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.

  • 70 Views
  • 0 Download
  • 1 Crossref
prev next
  • In the present work, we investigated the mechanical alloying of binary Ga-Se(1:1) and Ga-Te(1;1) sysyems. The high-energy ball-milling was performed at 40°C where one of constituents (Ga) is molten state. The purpose of the work was to see whether reactions between constituent elements are accelerated by the presence of a liquid phase. During the ball-milling, the liquid Ga phase completely disappeared and the resulting powders consist of nanocrystalline grain of ~20 nm with partly amorphized phases. However, no intermetallic compounds formed in spite of the presence of the liquid phases which has much higher diffusivity than solid constituents. By subsequent heat-treatments, the inter-metallic compounds such as GaSe and GaTe formed at relatively low temperatures. The formation temperature of theses compound was much lower than those predicted by equilibrium phase diagram. The comparison of the ball-milled powders with un-milled ones indicated that the easy formation of intermetallic compound or allying occurs at low temperatures.
기계적 합금화법(Mechanical alloying; MA)은 산화물 분 산 강화 (ODS) 합금, 과고용합금, 나노결정질 및 비정질 합 금과 같은 준 안정재료의 제조를 위해 널리 성공적으로 사 용되어 왔다[1-3]. 공정 중 분말은 볼과 볼, 볼과 용기 사이 에서 반복적으로 파단과 냉간압접을 거듭하며, 그 결과 마 지막 단계인 정상상태(steady state) 밀링단계에 이르러서는 구성성분이 나노미터 규모 혹은 원자 규모까지 균일하게 혼합된다. 이 공정은 구성성분의 용융을 거치지 않기 때문 에서 기본적으로 고상반응에 의존한다[4, 5].
본 연구에서는 고체 분말만으로 행해지는 통상의 공정 과는 달리, 밀링의 대상이 되는 구성 성분 중의 하나가 액 체 금속을 포함하는 2원 합금계의 기계적 합금화를 시도 하여 보았다. 액상을 포함하는 합금계의 기계적 합금화를 조사한 이유는 고상보다 매우 높은 액체 금속의 확산계수 를 이용하여 밀링 중 합금화 반응이 촉진되는 지의 유무 를 조사하는데 있다.
이를 위하여 원료가 되는 액상 금속은 상온 부근의 낮 은 융점을 가지고 있는 Ga을 선택하였다. Ga은 융점이 29.8 °C로 매우 낮으며, 공기 중 노출이 되면 보호막이 형 성되어 화학적 특성이 알루미늄과 유사한 금속이다. Ga과 함께 밀링한 금속은 Se와 Te로, 두 물질이 Ga과 반응을 하면 HCP구조를 가지게 되며 화합물 반도체로 이용되는 응용성도 고려하였다. 기계적 화금화법인 밀링 방식은 마 모 밀(attritor mill), 진동 밀(vibratory mill), 수평 식 밀 (horizontal mill), 유성형 밀(planetary mill)등 밀링 장치에 따라 다른 결과를 만든다. 또한 볼과 분말의 비와 밀링 모 드의 따라 밀링 결과에도 큰 영향을 미친다[6].
본 연구의 가장 주요 목적은 원료 분말 중 액체 금속을 포함하는 합금계의 기계적 합금화를 연구하는데 있다.
실험에 사용된 원료재료는 순도 99.99%인 Ga (STREM CHEMICALS)과 순도 99.5%, 입도 100 mesh의 Se (ALDRICH), 순도 99.999% Te(FLUKA)이었다. Ga과 Se, Ga과 Te은 각기 원자 비로 1:1가 되도록 혼합 후 밀링 용 기에 장입 하였다. 볼: 분말의 무게 비는 500:1이었으며, 밀링 용기와 볼은 스테인리스 강을 사용하였다. 분말을 용 기 내 장입 등 밀링과 관련된 모든 조업은 글러브박스 등 을 이용해 아르곤 분위기하에서 행하였다. 밀링은 수평 식 밀을 사용해 마찰모드에서 행하였다. 밀링모드는 이전의 연구결과를 참고 하였다[6]. 이를 위해 사용한 밀링용기의 크기 등을 고려해 용기의 회전속도는(30r.p.m.) 이었으며, 시 간을 변수를 두어 12시간, 24시간, 48시간, 96시간 동안 밀링을 하였다. 밀링온도는 파이로미터(pyrometer)로 측정 하여 40°C가 되도록 하였다. 밀링이 끝난 분말은 2시간 동 안 상온에서 유지 후 글러브박스 안에서 채취하였다. 밀링 된 분말은 진공로에서 200°C~400°C에서 30분 동안 열처 리를 하였다. 밀링 및 열처리 후 채취한 분말은 주사전자 현미경(Scanning Electron Microscope-Tescan)과 투과전자 현미경(Transmission Electron Microscope-Jeol)을 이용하 여 형상 및 구조변화를 조사하였고, EDS(Energy Dispersive Spectroscopy)를 통해 성분분석 및 정량분석을 하였다. 상 분석 결정립 크기 분석은 X-선 회절기(X-ray Diffractometer) 를 이용하였다.
그림 12는 마찰모드(30r.p.m.)에서 볼밀링시킨 Ga-Se 계와 Ga-Te계의 SEM 분말형상 사진이다. 사진에서 보듯 이 두 합금계 모두 밀링 시간이 늘어날수록 분말의 냉간 압접과 파단 지배 단계를 거쳐 마지막 정상상태에 이르렀 다. 두 합금계의 공히 정상상태에 이른 시간과 최종 분말 의 형상, 입도에는 큰 차이가 없었다.
Fig. 1.
SEM powder morphology of Ga-Se during ball-milling: (a) 0 h, (b) 12 h, (c) 24 h, (d) 48 h, and (e) 96 h.
KPMI-21-338_F1.gif
Fig. 2.
SEM powder morphology of Ga-Te during ball-milling: (a) 0 h, (b) 12 h, (c) 24 h, (d) 48 h, and (e) 96 h.
KPMI-21-338_F2.gif
본 연구의 밀링은 마찰모드에 의한 것으로 분말이 용기 내벽 하단부에서 볼의 중량에 영향을 받아 주로 마찰에 의해 밀링된 것이다. 그림 12는 각기 Ga-Se계와 Ga-Te 계의 밀링 후 SEM 사진(e)에서 보듯이 96시간 밀링 후 보 듯이 분말의 입도가 비교적 균일하게 미세하여 이 시간에 서 정상상태 밀링단계에 이르게 됨을 알 수 있다. Ga은 액 체상태 에서 밀링을 하였기 때문에 분쇄 보다는 밀링 시 간이 늘어날수록 Se와 Te와 균일하게 혼합되는 효과가 더 있었을 것이라고 생각된다. 특이 할 점은 Ga-Se계의 경우 12시간, 24시간, 96시간 밀링 후 분말들은 검은색이었는데, 48시간 밀링 후 채취한 분말의 색이 황토색으로 나왔다. GaTe의 밀링 후 분말들은 모두검은색이었다. 그림 1에서 보듯이 Ga-Se계의 경우 분말입자들이 24시간 까지는 크게 분쇄되지 않았지만, 96시간 밀링 후 입도가 뚜렷이 미세 화 되었다. GaTe의 경우도 48시간 동안까지는 큰 변화를 보이지 않다가 96시간에서 미세한 입자가 형성되었다.
그림 3의 (a)와 (b)는 볼밀링시킨 Ga-Se계와 Ga-Te계 분 말의 X-선 회절 분석 결과이다. 밀링이 되면서 Ga이 Se과 Te에 혼합하여 금속간 화합물 형성 유무를 조사했으나, 도 표에서 보듯이 밀링 후 GaSe와 GaTe는 금속간 화합물은 형성되지 않았다. 두 합금계 모두 밀링하지 않은 시편에서 Ga의 회절선이 나오고 있으나, 이는 X선 회절조사가 Ga 의 융점보다 다소 낮은 20~25°C에서 행해졌기 때문이다. 그러나 본 연구의 밀링온도인 40°C Ga이 액상이 되어 회 절선이 나타나지 않았을 것으로 생각된다. 실제로 Ga-Se 계의 경우 0시간 밀링의 경우 Ga의 회절선이 비정질과 비 슷한 형태를 보이고 있다. 이 합금계의 경우 96시간 밀링 후에도 미약한 Ga 회절선이 잔존하고 있었다. 반면, Ga- Te계의 경우 24시간 밀링 후부터 Ga 회절선이 완전히 사 라졌다. 두 합금계 공히 밀링이 진행됨에 따라 회절선이 강도가 약해지고 폭이 넓어져 결정성이 약화되고 결정립 이 미세화 됨을 알 수 있다. 특히 Ga-Te계의 경우 이러한 현상이 더욱 뚜렷해 이미 48시간부터 대부분의 결정피크 가 거의 사라짐을 알 수 있다. 다만 매우 약하게 Te결정 피크가 잔존하였다. 반면, Ga-Se계의 경우는 결정 피크, 특히 Se의 회절선이 어느 정도 남아있었다.
Fig. 3.
Changes in XRD patterns with milling duration: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
KPMI-21-338_F3.gif
볼밀링에 의한 결정립 미세화를 알아보기 위해 Scherrer 의 식[7]을 이용하여 결정립의 크기를 유추하였으며 그 결 과가 그림 4에 표시되어있다. Ga-Se계의 경우는 24시간~ 48시간 밀링 후 20 nm로 감소한 결정립이 96 시간 후에 는 약 18 nm까지 감소하였다. GaTe의 경우도 Ga-Ser계와 유사하나 96 시간 밀링 후의 결정립은 보다 작은 18 nm 내외이었다.
Fig. 4.
Changes in crystalline size with ball-milling duration: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
KPMI-21-338_F4.gif
이를 보다 자세히 알아 보기 위해 투과전자 현미경 (TEM)으로 96시간 밀링한 Ga-Se와 Ga-Te계 분말을 조사 하였다(그림 5). 그 결과 두 합금계의 분말 모두 비정질상 과 나노결정립상이 존재하여있었다. 그림 5(a)는 비정질상 부분이 있는 Ga-Se계의 분말모습이며, (b)는 링 모양 회절 패턴을 가지는 나노결정립 부분을 나타낸 것이다. 결정립 의 크기는 그림 4의 Scherrer의 식에서 구한 결과와 비슷 하게 20~30 nm 크기를 가지고 있었다.
Fig. 5.
TEM morphology of 96 h ball-milled powders: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
KPMI-21-338_F5.gif
밀링한 분말들의 후속 공정을 통한 금속간 화합물을 형 성 유무를 확인하기 위해 96시간 밀링 한 분말을 중저온 에서 열처리를 하였다. 그림 6의 (a)와 (b)는 각각 두 분말 을 200°C~400°C 에서 열처리를 한 XRD 결과이다. 먼저 Ga-Se계의 경우 96시간 밀링한 분말을 열처리한 결과, 200°C에서는 Ga과 Se의 원소분말의 회절선이 남아있었으 나 400°C에서 GaSe와 Ga2Se3 금속 간 화합물이 형성 되 었다. 이는 합금평형상태도에서 예상되었던 GaSe 화합물 의 형성온도 보다 매우 낮은 온도이다. Ga-Te계의 경우도 200°C 열처리를 했을 때 아무런 반응을 하지 않고 Te이 그대로 남아있었다. 그러나 400°C 열처리 후에는 Ga2Te3 금속간 화합물이 형성되었다. 특이 할 점은 기존의 낮은 온 도에서 관찰되었던 Te상과는 다른 JCPDS 번호의 Te상이 관 찰되었다. 원래의 분말혼합조성인 GaTe 대신 Ga2Te3상이 형 성된 것은 미량의 비정질 잔존 Ga 때문으로 보인다.
Fig. 6.
Changes in XRD patterns of 96 h ball-milled by post heat treatment at different temperatures: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
KPMI-21-338_F6.gif
밀링을 하지 않은 분말의 열처리 중의 금속간 화합물 형 성 거동의 차이를 알아보기 위해 밀링되지 않은 Ga-Se와 Ga-Te계 단순 혼합 분말을 200°C~600°C 열처리를 해보았 다. 먼저, 그림 5는 밀링을 하지 않은 Ga-Se계의 열처리 후 XRD 결과인데, 200°C에서는 Se 결정 피크만 관찰된다. 이는 밀링한 분말이 이미 200°C에서 GaSe를 형성하였던 것과 대비된다. 보다 높은 온도인 400°C에서는 GaSe가 형 성되었지만, 미반응 잔존 Se상도 존재하였으며 Ga2Se3상 은 측정되지 않았다. 600°C에서도 400°C와 비슷한 결과가 나왔는데, 반응을 못한 Se과 GaSe가 나왔다. 한편, GaTe 계의 200°C와 400°C는 Ga과 반응을 하지 못한 Te이 나왔 다. 600°C에서는 GaTe가 측정되었으나 Ga과 반응을 못한 Te도 나왔다. 이러한 근거로 GaSe와 GaTe는 밀링 후 훨씬 낮은 온도에서 금속 간 화합물이 형성됨을 알 수 있었다. 두 함금계 혼합 후, 혹은 밀링 후 있었던 Se, Te 순금속상 과 달리 열처리 후에는 JCPDS상 다른 번호를 가진 상들 이 관찰되었다. 그림 7.
Fig. 7.
Changes in XRD patterns of un-milled by post heat treatment at different temperatures: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
KPMI-21-338_F7.gif
본 연구에서는 고상반응을 이용하는 통상의 방법과 달 리, 원료 구성 물질의 일부가 액상인 합금계의 기계적 합 금화를 Ga-Se, Ga-Te계를 대상으로 행하여 보았다. 두 힙 금계 모두 밀링 후 비정질 및 나노결정립이 혼재하는 분 말을 얻었으나, 공정 중 액상의 존재에도 불구하고 금속간 화합물은 형성되지 않았다. 금속간 화합물은 후속 열처리를 통해 비교적 만은 온도에서 생성되었다. 특히 밀링한 분말을 사용하면 밀링하지 않은 분말에 비해 매우 낮은 온도에서 Ga-Se, Ga-Te계 금속간 화합물을 얻을 수 있었다.
  • 1. S Ruan, K.L Torres, G.B Thompson and C Schuh: A. Ultramicroscopy., (2011) 111 1062.Article
  • 2. N.K Mukhopadhyay, D Mukherjee, S Dutta, R Manna, D.H Kim and I.J Manna: Alloys Compd., (2008) 457 12.
  • 3. C.L Che and C.L Huang: Int. J. Refract. Met. Hard Mater., (2014) 44 19.
  • 4. C Suryanarayana: Progr. Mater. Sci., (2001) 46 184.
  • 5. G.K Rane, D Apel, U Welzel and E.J Mittemeijer: J. Mater. Res., (2013) 28 873.Article
  • 6. J-H Ahn and Y-K Paek: J. Mater. Sci. Lett., (1999) 18 17.Article
  • 7. A Monshi, M.R Foroughi and M.R Monshi: WJNSE., (2012) 2 154.

Figure & Data

References

    Citations

    Citations to this article as recorded by  
    • A Study on Synthesis of Ni-Ti-B Alloy by Mechanical Alloying from Elemental Component Powder
      Jung Geun Kim, Yong Ho Park
      Journal of Korean Powder Metallurgy Institute.2016; 23(3): 202.     CrossRef

    • PubReader PubReader
    • Cite this Article
      Cite this Article
      export Copy Download
      Close
      Download Citation
      Download a citation file in RIS format that can be imported by all major citation management software, including EndNote, ProCite, RefWorks, and Reference Manager.

      Format:
      • RIS — For EndNote, ProCite, RefWorks, and most other reference management software
      • BibTeX — For JabRef, BibDesk, and other BibTeX-specific software
      Include:
      • Citation for the content below
      Mechanical Alloying of GaSe and GaTe Systems
      J Korean Powder Metall Inst. 2014;21(5):338-342.   Published online October 1, 2014
      Close
    • XML DownloadXML Download
    Figure
    • 0
    • 1
    • 2
    • 3
    • 4
    • 5
    • 6
    Mechanical Alloying of GaSe and GaTe Systems
    Image Image Image Image Image Image Image
    Fig. 1. SEM powder morphology of Ga-Se during ball-milling: (a) 0 h, (b) 12 h, (c) 24 h, (d) 48 h, and (e) 96 h.
    Fig. 2. SEM powder morphology of Ga-Te during ball-milling: (a) 0 h, (b) 12 h, (c) 24 h, (d) 48 h, and (e) 96 h.
    Fig. 3. Changes in XRD patterns with milling duration: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
    Fig. 4. Changes in crystalline size with ball-milling duration: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
    Fig. 5. TEM morphology of 96 h ball-milled powders: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
    Fig. 6. Changes in XRD patterns of 96 h ball-milled by post heat treatment at different temperatures: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
    Fig. 7. Changes in XRD patterns of un-milled by post heat treatment at different temperatures: (a) Ga-Se and (b) Ga-Te.
    Mechanical Alloying of GaSe and GaTe Systems

    Journal of Powder Materials : Journal of Powder Materials
    TOP