a 한국세라믹기술원 이천분원 엔지니어링소재센터
b 고려대학교 신소재공학과
a Engineering Materials Center, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Icheon 17303, Republic of Korea
b Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 02841, Republic of Korea
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3가 및 4가 산화물을 YSZ에 Dopant로 첨가한 조성 을 바탕으로 열전도도 측정을 진행하였으며, 측정 결 과 3가 및 4가 산화물 Dopant의 양이 늘어남에 따라 소재의 열전도도가 감소하는 경향성을 확인할 수 있 었다.
미세구조 분석 결과 고온 장시간 열처리 시 모든 조 성에서 입성장이 일어난 것을 확인할 수 있었다. 이 중 AlTi YSZ조성의 경우 열처리 전 3 ~5 μm 수준에 서 열처리 후 10~35 μm 수준으로 입성장이 급격하게 일어난 것을 확인할 수 있으며, 이러한 결과는 입성 장이 상변이에 의한 영향보다 첨가 산화물의 소결 촉 진 정도에 영향을 받는 것으로 예측 된다.
XRD 분석 결과 소결 후 YSZ, AlTi YSZ, NdAlTi YSZ 조성에서는 m상이 검출 되었으나, Nd YSZ 및 NdYb 조성에서는 m상이 검출되지 않았다. 고온 장시 간 열처리 후 YSZ, Nd YSZ, AlTi YSZ, NdAlTi YSZ 조성에서는 m상이 증가하였으나, NdYb YSZ 조성의 경우 m상이 거의 증가하지 않은 것을 확인할 수 있다.